ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFU3607PBF
/IRFU3607PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRFU3607PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRFU3607PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU3607PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU3607PBF价格参考。International RectifierIRFU3607PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 56A（Tc） 140W（Tc） IPAK（TO-251）。您可以下载IRFU3607PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU3607PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFU3607PBF是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：IRFU3607PBF适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等应用中，用于高效能的电力转换和稳压。它能够处理高电流和高电压，适合工业级或消费级电源解决方案。 2. 电机驱动：该MOSFET可以用于控制小型到中型电机的运行，例如家用电器中的风扇、泵浦以及电动工具中的电机驱动电路。通过快速切换状态来调节电机速度和方向。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRFU3607PBF可以用作关键组件以实现交流与直流之间的转换，确保能量传输效率最大化。 4. 负载开关：作为高性能负载开关，在需要频繁开启/关闭大功率负载的情况下表现优异，如汽车电子系统、LED照明等领域。 5. 电池保护及充电电路：用于锂电池组保护板上，防止过充、过放、短路等情况发生；同时也可用于快速充电器的设计当中，提供稳定可靠的电流路径。 6. 电信设备：在基站、路由器等通信设施内充当信号放大或切换的角色，保证数据传输过程中的稳定性与准确性。 7. 汽车电子：由于其坚固耐用且抗干扰能力强，这款MOSFET也广泛应用于各类车载电子产品中，比如引擎控制单元、空调系统、车窗升降器等。 总之，凭借其低导通电阻、高耐压值以及优秀的热性能，IRFU3607PBF非常适合那些对效率、可靠性和紧凑设计有严格要求的应用场合。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路配置，并考虑散热措施以确保最佳工作效果。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 56A I-PAKMOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFU3607PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU3607PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.34 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.34 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3070pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 46A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 140W |
| 功率耗散 | 140 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 7.34 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 56 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 75 V |
| 漏极连续电流 | 80 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfr_u3607pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfr_u3607pbf.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
