Datasheet下载- 型号： FDPF20N50T
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDPF20N50T由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDPF20N50T价格参考￥9.23-￥9.23。Fairchild SemiconductorFDPF20N50T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDPF20N50T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDPF20N50T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDPF20N50T 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有 50V 的耐压能力，适用于多种低电压、中等功率的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FDPF20N50T 可用于开关电源中的同步整流器或初级侧开关，提供高效的能量转换。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少导通损耗，提高整体效率。 2. 直流电机驱动 该 MOSFET 适合用于小型直流电机的驱动电路，例如玩具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制。通过 PWM（脉宽调制）信号控制电机速度和方向。 3. 负载开关 在需要快速切换负载的电路中，FDPF20N50T 可作为负载开关使用，实现对不同负载的有效控制，同时具备低功耗和高可靠性的特点。 4. 电池管理系统 (BMS) 该器件可用于电池保护电路，例如过流保护、短路保护和负载切换。其低导通电阻能够降低电池放电时的功率损耗。 5. LED 驱动器 在 LED 照明应用中，FDPF20N50T 可用作开关元件，实现恒流驱动或调光功能，满足室内照明、汽车灯和指示灯的需求。 6. 消费电子设备 该 MOSFET 广泛应用于手机充电器、笔记本适配器、USB PD 控制器等消费电子产品中，提供高效、紧凑的解决方案。 7. 工业控制 在工业自动化领域，FDPF20N50T 可用于继电器替代、电磁阀驱动和其他需要高速开关的场合，确保系统稳定运行。 8. 汽车电子 虽然 FDPF20N50T 不是车规级器件，但在非关键车载应用中（如车窗升降器、座椅调节器），它仍可发挥重要作用。 总结来说，FDPF20N50T 凭借其出色的性能参数（如低 Rds(on)、高电流处理能力和良好的热稳定性），非常适合用于需要高效功率转换和控制的各种应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220FMOSFET 500V 20A NCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDPF20N50TUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDPF20N50T |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 38.5 W |
| Pd-功率耗散 | 38.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 230 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 375 ns |
| 下降时间 | 105 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 230 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 38.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 24.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | FDPF20N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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