【未分类_IRFSL4010PBF】封装/厂家_IRFSL4010PBF中文资料_价格

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型号： IRFSL4010PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL4010PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL4010PBF价格参考￥9.63-￥16.43。International RectifierIRFSL4010PBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRFSL4010PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL4010PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFSL4010PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单通道设计。该型号的MOSFET主要应用场景包括：

 1. 电源管理
   - 开关电源（SMPS）：IRFSL4010PBF适用于各种开关电源电路，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和高效率特性使其成为开关电源的理想选择。
   - 负载切换：用于控制负载的开启和关闭，确保系统在不同工作状态下的稳定运行。

 2. 电机驱动
   - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关来控制电机的启停、速度和方向。
   - 在H桥或半桥电路中，IRFSL4010PBF可以实现高效的电机控制。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 在电池保护电路中，用作电池充放电的开关元件，确保电池的安全运行。
   - 支持锂电池、铅酸电池等电池类型的保护和管理。

 4. 逆变器
   - 用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等设备中，将直流电转换为交流电。
   - 其高效开关特性和耐高压能力适合逆变器的应用需求。

 5. 汽车电子
   - 在汽车电子领域，IRFSL4010PBF可用于车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等需要功率开关的应用。
   - 也适用于车载充电器和其他车载电子设备的功率管理。

 6. 消费类电子产品
   - 应用于笔记本电脑适配器、手机充电器、LED驱动器等消费类电子产品的电源管理部分。
   - 提供高效、稳定的电流控制能力。

 7. 工业控制
   - 在工业自动化设备中，用于继电器替代、电磁阀驱动、传感器信号放大等场景。
   - 适用于需要高频开关和大电流承载能力的工业应用。

 总结
IRFSL4010PBF凭借其优异的电气性能（如低导通电阻、高耐压能力、快速开关速度等），广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、逆变器、汽车电子、消费类电子产品以及工业控制等领域。这些应用场景充分利用了其高效、可靠和耐用的特点。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 100V 180A TO-262MOSFET MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	180 A
Id-连续漏极电流	180 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFSL4010PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRFSL4010PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	375 W
Pd-功率耗散	375 W
Qg-GateCharge	143 nC
Qg-栅极电荷	143 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	3.9 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	3.9 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	9575pF @ 50V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	215nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.7 毫欧 @ 106A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-262
功率-最大值	375W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
封装/箱体	I2PAK-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	180A （Tc）