【未分类_IXTF02N450】封装/厂家_IXTF02N450中文资料_价格

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型号： IXTF02N450
制造商： IXYS
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTF02N450由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTF02N450价格参考￥143.54-￥230.90。IXYSIXTF02N450封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IXTF02N450参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTF02N450 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS公司的IXTF02N450是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个FET器件，主要应用于需要高电压、高效率和快速开关的场景。以下是其典型应用场景：

1. 电源管理：  
   IXTF02N450适用于高压直流-直流转换器、开关电源（SMPS）以及逆变器等电源管理系统。其450V的额定电压使其能够处理高压输入或输出，适合工业级和商业级应用。

2. 电机驱动：  
   该MOSFET可用于驱动中小型电机，尤其是在需要高频开关和低功耗的应用中。例如，家用电器中的风扇、泵或压缩机等设备可能使用此类MOSFET进行速度控制。

3. 太阳能逆变器：  
   在可再生能源领域，IXTF02N450可以用于太阳能逆变器中的功率转换电路，将直流电转换为交流电，提供给电网或负载。

4. 不间断电源（UPS）：  
   高压MOSFET在UPS系统中起到关键作用，用于电池充电和放电管理，以及在主电源中断时切换到备用电源。

5. 脉宽调制（PWM）控制器：  
   IXTF02N450适合用作PWM信号的开关元件，广泛应用于LED驱动器、音频放大器和其他需要精确控制占空比的电路。

6. 工业自动化与控制：  
   在工业环境中，这款MOSFET可用于固态继电器、伺服控制系统以及其他需要可靠开关功能的场合。

7. 汽车电子：  
   虽然IXTF02N450并非专门为汽车设计，但在某些非核心车载系统中（如照明、辅助加热器等），它也能发挥作用。

总结来说，IXTF02N450凭借其高耐压能力、低导通电阻和快速开关特性，非常适合各种高压、高效能需求的电力电子应用。选择具体应用场景时，需根据实际工作条件（如电流、频率、散热要求等）进一步评估其适用性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAKMOSFET 4500V 200mA HV Power MOSFET
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	200 mA
Id-连续漏极电流	200 mA
品牌	IXYS
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,IXYS IXTF02N450-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IXTF02N450
Pd-PowerDissipation	78 W
Pd-功率耗散	78 W
Qg-GateCharge	10.4 nC
Qg-栅极电荷	10.4 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	750 Ohms
RdsOn-漏源导通电阻	750 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	4.5 kV
Vds-漏源极击穿电压	4.5 kV
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	4 V to 6.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	4 V to 6.5 V
上升时间	48 ns
下降时间	143 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	6.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	256pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	10.4nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	750 欧姆 @ 10mA，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	ISOPLUS i4-PAC™
典型关闭延迟时间	28 ns
功率-最大值	78W
包装	管件
商标	IXYS
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	i4-Pac™-5（3 引线）
封装/箱体	ISOPLUS i4-PAK-3
工厂包装数量	25
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	25
正向跨导-最小值	100 mS
漏源极电压(Vdss)	4500V （4.5kV）
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/4500-v-power-mosfets/50198
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	200mA （Tc）
系列	IXTF02N450
通道模式	Enhancement
配置	Single