Datasheet下载- 型号： SI2308BDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2308BDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2308BDS-T1-GE3价格参考￥0.74-￥0.93。VishaySI2308BDS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2308BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2308BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2308BDS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 封装，具有低导通电阻、高开关速度和小尺寸的特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和空间受限的电路设计中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，实现高效的电能管理与节能。 2. DC-DC 转换器：在同步整流或降压（Buck）转换电路中作为开关元件，提升转换效率，适用于小型电源模块。 3. 电机驱动：用于微型电机的控制电路，如玩具、小型风扇或家用电器中的低功率驱动。 4. 信号切换：在模拟开关或多路复用电路中，利用其快速响应特性进行信号通断控制。 5. LED 驱动：作为 LED 开关控制元件，用于背光调节或照明控制电路。 SI2308BDS-T1-GE3 具有较低的栅极电荷和导通电阻（Rds(on) 典型值约 0.07Ω），适合高频开关应用，同时支持较高的电流承载能力（持续漏极电流达 2.3A），在保证性能的同时节省 PCB 空间。其工业级工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也使其适用于较严苛的环境。 综上，该 MOSFET 特别适用于对体积、效率和可靠性要求较高的消费电子、工业控制和便携式设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2308BDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2308BDS-T1-GE3SI2308BDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.09 W |
| Pd-功率耗散 | 1.09 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 156 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 156 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 156 毫欧 @ 1.9A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2308BDS-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 11 ns |
| 功率-最大值 | 1.66W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2308BDS-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
