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IRLR110TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR110TRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR110TRPBF价格参考。VishayIRLR110TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR110TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR110TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRLR110TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 电机驱动 - IRLR110TRPBF具有低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,非常适合用于直流无刷电机(BLDC)、步进电机和其他类型电机的驱动电路中。 - 在电机控制中,它可以用作功率开关,实现高效的PWM(脉宽调制)控制。 2. 电源管理 - 降压转换器:该MOSFET可用于开关模式电源(SMPS)中的降压转换器,提供高效的电压调节。 - 负载开关:在便携式设备中,作为负载开关以实现快速开启/关闭功能,并减少功耗。 - 电池管理系统(BMS):适用于锂电池保护电路,控制充放电路径。 3. 消费电子产品 - 在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中,用作电源开关或同步整流器。 - 支持USB充电端口的过流保护和快速切换操作。 4. 工业自动化 - 用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口以及工业机器人的电源控制模块。 - 在工业应用中,其耐用性和可靠性确保了长时间稳定运行。 5. 汽车电子 - 应用于车载电子系统,例如电动窗、座椅调节、雨刷器控制等。 - 符合AEC-Q101标准(如果指定为车规级版本),适应严苛的工作环境。 6. 信号放大与切换 - 在音频设备中,作为功率放大器的一部分,提供高效且低失真的信号传输。 - 用于多路复用器或解复用器,实现高速信号切换。 总结 IRLR110TRPBF凭借其低导通电阻(典型值为8.5mΩ@Vgs=10V)、高工作电流(最大可达79A)和优秀的热性能,成为许多需要高效功率转换和开关的应用的理想选择。同时,它的小型TO-252封装也便于集成到紧凑型设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKMOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLR110TRPBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR110TRPBFIRLR110TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 47 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 2.6A,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | IRLR110PBFDKR |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 540 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 4.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 10 V |