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产品简介:
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Renesas Electronics America 的 RJK0451DPB-00#J5 是一款N沟道MOSFET,属于单功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和优良的热稳定性,适合在高效率、小体积的设计中使用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于DC-DC转换器、同步整流电路和电压调节模块(VRM),提升电源转换效率。 2. 电机驱动:适用于小型电机控制,如家用电器、电动工具中的驱动电路。 3. 电池供电设备:在笔记本电脑、移动电源、便携式设备中作为负载开关或电源切换元件。 4. 工业控制:用于PLC、传感器模块和工业电源系统中的开关控制。 5. 消费类电子产品:如LED照明驱动、充电器和适配器中实现高效能电能管理。 RJK0451DPB-00#J5采用紧凑型封装,有助于节省PCB空间,同时具备良好的散热性能,可在较宽温度范围内稳定工作,适用于对可靠性和能效要求较高的应用环境。其优异的开关特性和低损耗设计,使其成为中低功率应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | RJK0451DPB-00#J5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2010pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7 毫欧 @ 17.5A,10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 其它名称 | RJK0451DPB-00#J5DKR |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 35A (Ta) |