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  • 型号: BUK9624-55A,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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BUK9624-55A,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9624-55A,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9624-55A,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK9624-55A,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 46A(Tc) 105W(Tc) D2PAK。您可以下载BUK9624-55A,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK9624-55A,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BUK9624-55A,118 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换和管理的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器,因其低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于减少能量损耗和发热。

2. 电机控制:用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动电路,提供快速开关响应和良好的热稳定性。

3. 照明系统:在LED照明和电子镇流器中作为功率开关,支持高效能和长寿命设计。

4. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块和电动车辆的功率管理单元,符合汽车级可靠性要求。

5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板和智能手机的电源管理系统,因其小型化和高效能特性而受到青睐。

该器件采用Trench MOSFET技术,具有优良的热性能和高电流承载能力,适合在高频率和高效率要求的电路中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 46A D2PAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

46 A

Id-连续漏极电流

46 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK9624-55A,118TrenchMOS™

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产品型号

BUK9624-55A,118

Pd-PowerDissipation

105 W

Pd-功率耗散

105 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

21.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

21.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

104 ns

下降时间

80 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1815pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

21.7 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-9682-1

典型关闭延迟时间

82.5 ns

功率-最大值

105W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

SOT-404-3

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

46A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

/T3 BUK9624-55A

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