图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: BSP110,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

BSP110,115产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BSP110,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP110,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP110,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 520mA(Tc) 6.25W(Tc) SOT-223。您可以下载BSP110,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP110,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 生产的 BSP110 和 BSP115 是单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类别。这些器件广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景中。以下是它们的主要应用场景:

 1. 电源管理
   BSP110 和 BSP115 常用于电源管理电路中,如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。由于它们具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流下保持较低的功耗,因此非常适合用于高效的电源转换和调节。

 2. 电机驱动
   这些 MOSFET 可以用于小型电机驱动电路中,例如步进电机、直流电机等。通过控制栅极电压,可以实现对电机的精确控制,适用于智能家居设备、消费电子产品中的风扇、泵等小型电机。

 3. 负载开关
   在便携式设备中,BSP110 和 BSP115 可用作负载开关,用于控制不同负载的供电状态。例如,在智能手机、平板电脑等设备中,MOSFET 可以根据需求切断或接通某些模块的电源,从而延长电池寿命。

 4. 信号切换
   这些 MOSFET 还可用于模拟信号切换电路中,如多路复用器或多路选择器。通过改变栅极电压,可以在不同的输入信号之间进行快速切换,适用于音频处理、视频切换等应用。

 5. 过流保护
   BSP110 和 BSP115 的低导通电阻特性使其适合用于过流保护电路。当检测到电流超过设定阈值时,可以通过关闭 MOSFET 来保护下游电路免受损坏。

 6. 电池管理系统
   在电池管理系统(BMS)中,这些 MOSFET 可以用于电池充电和放电路径的控制。通过精确控制充电电流和放电电流,确保电池的安全运行,延长电池寿命。

 7. 汽车电子
   在汽车电子系统中,BSP110 和 BSP115 可用于车身控制模块(BCM)、电动座椅、车窗升降器等应用中。它们能够承受较大的温度范围,并且具有良好的抗干扰能力,适合在复杂的汽车环境中使用。

总的来说,BSP110 和 BSP115 具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于多种需要高效、低功耗和可靠性能的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223MOSFET TAPE-7 MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

520 mA

Id-连续漏极电流

520 mA

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP110,115TrenchMOS™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BSP110,115

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

6.25 W

Pd-功率耗散

6.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

10 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

40pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

10 欧姆 @ 150mA,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SC-73

其它名称

568-6812-1

功率-最大值

6.25W

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

封装/箱体

SC-73-4

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

520mA (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

零件号别名

BSP110 T/R

推荐商品

型号:HUF75307D3ST

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:RFD14N05SM

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRLR3705ZPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRLR3303TRL

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTMFS4941NT1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRLI2910

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFP4004PBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSS315PH6327XTSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
BSP110,115 相关产品

BSC120N03MSGATMA1

品牌:Infineon Technologies

价格:

SUD50N03-06AP-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STP15NM65N

品牌:STMicroelectronics

价格:

IRF630STRRPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRF740AS

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FQD11P06TF

品牌:ON Semiconductor

价格:

NTMFS4841NHT3G

品牌:ON Semiconductor

价格:

STP315N10F7

品牌:STMicroelectronics

价格: