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BSP110,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP110,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP110,115价格参考。NXP SemiconductorsBSP110,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 520mA(Tc) 6.25W(Tc) SOT-223。您可以下载BSP110,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP110,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BSP110 和 BSP115 是单通道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于 FET 类别。这些器件广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要高效开关和低功耗的应用场景中。以下是它们的主要应用场景: 1. 电源管理 BSP110 和 BSP115 常用于电源管理电路中,如 DC-DC 转换器、线性稳压器等。由于它们具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流下保持较低的功耗,因此非常适合用于高效的电源转换和调节。 2. 电机驱动 这些 MOSFET 可以用于小型电机驱动电路中,例如步进电机、直流电机等。通过控制栅极电压,可以实现对电机的精确控制,适用于智能家居设备、消费电子产品中的风扇、泵等小型电机。 3. 负载开关 在便携式设备中,BSP110 和 BSP115 可用作负载开关,用于控制不同负载的供电状态。例如,在智能手机、平板电脑等设备中,MOSFET 可以根据需求切断或接通某些模块的电源,从而延长电池寿命。 4. 信号切换 这些 MOSFET 还可用于模拟信号切换电路中,如多路复用器或多路选择器。通过改变栅极电压,可以在不同的输入信号之间进行快速切换,适用于音频处理、视频切换等应用。 5. 过流保护 BSP110 和 BSP115 的低导通电阻特性使其适合用于过流保护电路。当检测到电流超过设定阈值时,可以通过关闭 MOSFET 来保护下游电路免受损坏。 6. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,这些 MOSFET 可以用于电池充电和放电路径的控制。通过精确控制充电电流和放电电流,确保电池的安全运行,延长电池寿命。 7. 汽车电子 在汽车电子系统中,BSP110 和 BSP115 可用于车身控制模块(BCM)、电动座椅、车窗升降器等应用中。它们能够承受较大的温度范围,并且具有良好的抗干扰能力,适合在复杂的汽车环境中使用。 总的来说,BSP110 和 BSP115 具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于多种需要高效、低功耗和可靠性能的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223MOSFET TAPE-7 MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 520 mA |
Id-连续漏极电流 | 520 mA |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BSP110,115TrenchMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | BSP110,115 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
Pd-功率耗散 | 6.25 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 40pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 欧姆 @ 150mA,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-73 |
其它名称 | 568-6812-1 |
功率-最大值 | 6.25W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | NXP Semiconductors |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SC-73-4 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 520mA (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain |
零件号别名 | BSP110 T/R |