Datasheet下载- 型号： IRF630STRRPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF630STRRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF630STRRPBF价格参考。VishayIRF630STRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF630STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF630STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRF630STRRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该型号的MOSFET具有较高的耐压能力（最大漏源极电压为500V），适用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动与控制：由于其能够承受较大的电压和电流波动，IRF630STRRPBF适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件实现对电机的启停、速度及方向控制。 3. 逆变器：在光伏逆变器或其他类型的电力电子逆变器中，这款MOSFET可以用来将直流电转换成交流电，满足家庭或工业用电需求。 4. 负载切换：在需要频繁开启或关闭高电压负载的情况下，如汽车电子系统中的灯光控制、继电器替代等场合，该器件能有效完成负载切换任务。 5. 脉宽调制（PWM）控制器：利用其快速响应特性和低导通电阻（典型值约为0.38Ω），IRF630STRRPBF非常适合用作PWM信号放大器或执行器，在音频放大、LED照明等领域发挥重要作用。 6. 保护电路：可用于设计过流保护、短路保护等功能模块，确保整个电路系统的安全稳定运行。 总之，凭借其优良的电气性能参数以及可靠的产品质量，IRF630STRRPBF广泛应用于各类消费类电子产品、工业设备以及汽车电子系统之中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91032 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF630STRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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