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  • 型号: FQP3N80C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP3N80C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3N80C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3N80C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3N80C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP3N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP3N80C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数:耐压值为 80V,连续漏极电流可达 4.2A(在特定条件下),导通电阻较低,适合用于中低功率的应用场景。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源 (SMPS)  
   FQP3N80C 的高开关速度和低导通电阻特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器中的主开关元件。

2. 电机驱动  
   在小型直流电机驱动电路中,FQP3N80C 可作为功率开关或电子开关使用,控制电机的启动、停止及调速功能。其低导通电阻有助于减少功耗,提高效率。

3. 负载开关  
   由于其低导通电阻和良好的热性能,FQP3N80C 常用于负载开关应用中,如汽车电子、工业设备或消费类电子产品中的动态负载管理。

4. 电池管理系统 (BMS)  
   在电池保护电路中,FQP3N80C 可用于充放电路径的控制,确保电池不会过充或过放。此外,它还可用于短路保护和电流限制功能。

5. 逆变器与太阳能微逆变器  
   在小型逆变器或太阳能微逆变器中,FQP3N80C 可用于功率级电路,实现 DC-AC 转换功能。

6. LED 驱动器  
   对于需要大电流驱动的 LED 照明系统,FQP3N80C 可用于恒流源电路中,通过 PWM 或线性调节方式控制 LED 的亮度。

7. 继电器替代方案  
   在某些应用中,FQP3N80C 可以替代传统机械继电器,提供更快的切换速度和更长的使用寿命,同时减少电磁干扰 (EMI)。

8. 音频放大器  
   在 D 类音频放大器中,FQP3N80C 可作为输出级开关器件,提供高效的功率输出,同时降低热量产生。

9. 家用电器控制  
   在家用电器(如风扇、水泵、冰箱压缩机等)中,FQP3N80C 可用于控制电机或其他负载的运行状态。

总的来说,FQP3N80C 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种中低功率的电子设备中,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 800V 3A TO-220MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP3N80CQFET®

数据手册

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产品型号

FQP3N80C

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

107 W

Pd-功率耗散

107 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

43.5 ns

下降时间

32 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

705pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

16.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 欧姆 @ 1.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

FQP3N80C-ND
FQP3N80CFS

典型关闭延迟时间

22.5 ns

功率-最大值

107W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

3 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A (Tc)

系列

FQP3N80

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQP3N80C_NL

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