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FQP3N80C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3N80C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3N80C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3N80C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 3A(Tc) 107W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP3N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP3N80C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键参数:耐压值为 80V,连续漏极电流可达 4.2A(在特定条件下),导通电阻较低,适合用于中低功率的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) FQP3N80C 的高开关速度和低导通电阻特性使其非常适合用作开关电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器中的主开关元件。 2. 电机驱动 在小型直流电机驱动电路中,FQP3N80C 可作为功率开关或电子开关使用,控制电机的启动、停止及调速功能。其低导通电阻有助于减少功耗,提高效率。 3. 负载开关 由于其低导通电阻和良好的热性能,FQP3N80C 常用于负载开关应用中,如汽车电子、工业设备或消费类电子产品中的动态负载管理。 4. 电池管理系统 (BMS) 在电池保护电路中,FQP3N80C 可用于充放电路径的控制,确保电池不会过充或过放。此外,它还可用于短路保护和电流限制功能。 5. 逆变器与太阳能微逆变器 在小型逆变器或太阳能微逆变器中,FQP3N80C 可用于功率级电路,实现 DC-AC 转换功能。 6. LED 驱动器 对于需要大电流驱动的 LED 照明系统,FQP3N80C 可用于恒流源电路中,通过 PWM 或线性调节方式控制 LED 的亮度。 7. 继电器替代方案 在某些应用中,FQP3N80C 可以替代传统机械继电器,提供更快的切换速度和更长的使用寿命,同时减少电磁干扰 (EMI)。 8. 音频放大器 在 D 类音频放大器中,FQP3N80C 可作为输出级开关器件,提供高效的功率输出,同时降低热量产生。 9. 家用电器控制 在家用电器(如风扇、水泵、冰箱压缩机等)中,FQP3N80C 可用于控制电机或其他负载的运行状态。 总的来说,FQP3N80C 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于各种中低功率的电子设备中,尤其是在需要高效功率转换和控制的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
Id-连续漏极电流 | 3 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP3N80CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP3N80C |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 107 W |
Pd-功率耗散 | 107 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 43.5 ns |
下降时间 | 32 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 705pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 欧姆 @ 1.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | FQP3N80C-ND |
典型关闭延迟时间 | 22.5 ns |
功率-最大值 | 107W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 3 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |
系列 | FQP3N80 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQP3N80C_NL |