Datasheet下载- 型号： IXFH86N30T
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH86N30T由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH86N30T价格参考。IXYSIXFH86N30T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH86N30T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH86N30T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH86N30T是一款高功率MOSFET晶体管，主要用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压（300V）以及大电流承载能力（86A），适用于多种工业级电源转换场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源供应器：用于服务器、通信设备及工业用开关电源（SMPS）中，提高转换效率并减少发热。 2. 电机驱动：适用于变频器与伺服驱动器中的功率级控制，支持高效直流至交流的电能转换。 3. 逆变器系统：在太阳能逆变器或储能系统中作为核心开关元件，实现DC到AC的高效能量转换。 4. 电动汽车相关应用：如车载充电机(OBC)或电池管理系统(BMS)，满足对功率密度与稳定性的严苛要求。 5. 焊接设备与感应加热装置：利用其快速开关特性进行精确功率控制。 综上所述，IXFH86N30T凭借其优异电气性能广泛应用于各类高功率密度、高频工作的电力控制系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 86A TO-247MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 86 A |
| Id-连续漏极电流 | 86 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH86N30TTrench™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH86N30T |
| Pd-PowerDissipation | 830 W |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 43 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 43A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 典型关闭延迟时间 | 54 ns |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Trench, HiperFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 86A （Tc） |
| 系列 | IXFH86N30 |
| 通道模式 | Enhancement |
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