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  • 型号: FQU13N10LTU
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQU13N10LTU产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQU13N10LTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU13N10LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU13N10LTU封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-PAK。您可以下载FQU13N10LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU13N10LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQU13N10LTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FQU13N10LTU 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高切换频率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用,提高效率并减少功耗。
   - 负载开关:用于动态控制电路的开启和关闭,保护下游电路免受过电流或短路的影响。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等需要低电压驱动的小型电机,提供高效的开关性能。
   - H 桥电路:在双向电机控制应用中,可作为 H 桥的一部分,实现电机正转和反转。

 3. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池保护:用于锂电池或其他可充电电池组的充放电保护电路,防止过充、过放或短路。
   - 电量平衡:在多节电池串联的情况下,通过 MOSFET 实现电池间的均衡管理。

 4. 信号切换
   - 音频信号切换:在音频设备中用作信号路径的选择开关,确保低噪声和高可靠性。
   - 数据线路切换:用于 USB 或其他高速数据接口的切换,支持快速响应和低插入损耗。

 5. 照明系统
   - LED 驱动:用于恒流源电路中,调节 LED 的亮度或实现调光功能。
   - 背光控制:在显示器或面板背光应用中,提供精确的电流控制。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等低压电机控制。
   - 电源分配:用于车内不同模块的电源开关,确保高效且可靠的电力传输。

 7. 工业自动化
   - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和电源控制。
   - 继电器替代:利用其快速切换和长寿命特点,替代传统机械继电器。

FQU13N10LTU 的关键优势在于其低导通电阻(典型值为 0.085 Ω)、高耐压(100V)和小封装尺寸(SOT-23),使其适合对空间和效率要求较高的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 10A IPAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10 A

Id-连续漏极电流

10 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU13N10LTUQFET®

数据手册

产品型号

FQU13N10LTU

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

220 ns

下降时间

72 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

520pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

典型关闭延迟时间

22 ns

功率-最大值

2.5W

包装

管件

单位重量

343.080 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

70

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

70

正向跨导-最小值

8.7 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

FQU13N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQU13N10LTU_NL

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