ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQU13N10LTU
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQU13N10LTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU13N10LTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU13N10LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU13N10LTU封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 2.5W(Ta),40W(Tc) I-PAK。您可以下载FQU13N10LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU13N10LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU13N10LTU 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FQU13N10LTU 的低导通电阻 (Rds(on)) 和高切换频率特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用,提高效率并减少功耗。 - 负载开关:用于动态控制电路的开启和关闭,保护下游电路免受过电流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等需要低电压驱动的小型电机,提供高效的开关性能。 - H 桥电路:在双向电机控制应用中,可作为 H 桥的一部分,实现电机正转和反转。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护:用于锂电池或其他可充电电池组的充放电保护电路,防止过充、过放或短路。 - 电量平衡:在多节电池串联的情况下,通过 MOSFET 实现电池间的均衡管理。 4. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中用作信号路径的选择开关,确保低噪声和高可靠性。 - 数据线路切换:用于 USB 或其他高速数据接口的切换,支持快速响应和低插入损耗。 5. 照明系统 - LED 驱动:用于恒流源电路中,调节 LED 的亮度或实现调光功能。 - 背光控制:在显示器或面板背光应用中,提供精确的电流控制。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等低压电机控制。 - 电源分配:用于车内不同模块的电源开关,确保高效且可靠的电力传输。 7. 工业自动化 - 传感器接口:用于工业传感器的信号调理和电源控制。 - 继电器替代:利用其快速切换和长寿命特点,替代传统机械继电器。 FQU13N10LTU 的关键优势在于其低导通电阻(典型值为 0.085 Ω)、高耐压(100V)和小封装尺寸(SOT-23),使其适合对空间和效率要求较高的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 10A IPAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU13N10LTUQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQU13N10LTU |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 220 ns |
下降时间 | 72 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 180 毫欧 @ 5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | I-Pak |
典型关闭延迟时间 | 22 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 343.080 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
封装/箱体 | IPAK-3 |
工厂包装数量 | 70 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 70 |
正向跨导-最小值 | 8.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Tc) |
系列 | FQU13N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQU13N10LTU_NL |