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产品简介:
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Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为 RSS040P03FU6TB 的场效应晶体管(MOSFET),属于P沟道MOSFET,常用于电源管理和负载开关等应用场景。 该器件主要适用于以下领域: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)等,因其具备低导通电阻(Rds(on))特性,有助于提升电源转换效率,降低发热。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为开关元件,控制电源通断,适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。 3. 电机驱动与继电器替代:可用于小型电机或继电器的控制电路中,提供更高效、可靠的开关性能。 4. 工业控制设备:用于工业自动化设备中的电源控制、信号切换等场景,具备良好的稳定性和耐久性。 5. 汽车电子:适合车载系统如车载信息娱乐系统、车身控制模块等,满足汽车应用中对可靠性和耐环境性能的要求。 该MOSFET采用小型封装(如TSMT6),适合高密度PCB布局,适用于空间受限的设计。其低电压驱动能力也使其与数字控制器或逻辑IC接口时更加简便。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RSS040P03FU6TB |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 800pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 58 毫欧 @ 4A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOP |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |