【晶体管 - FET，MOSFET - 单_FDP027N08B】封装/厂家_FDP027N08B中文资料_价格

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型号： FDP027N08B
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP027N08B由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP027N08B价格参考。Fairchild SemiconductorFDP027N08B封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 246W（Tc） TO-220-3。您可以下载FDP027N08B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDP027N08B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP027N08B 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景广泛，主要适用于需要高效功率转换和开关的场合。以下是该型号的一些典型应用场景：

1. 电源管理：  
   FDP027N08B 可用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）以及降压/升压电路中。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 2.7 mΩ）使其在高电流应用中表现出较低的功耗，从而提高整体效率。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。其快速开关特性和低损耗特性非常适合于 PWM（脉宽调制）控制，以实现电机的速度调节和方向控制。

3. 电池管理系统（BMS）：  
   在电池保护电路中，FDP027N08B 可用作电子开关，控制电池充放电路径。它的低导通电阻有助于减少电池系统的能量损失，延长电池寿命。

4. 负载切换：  
   在消费电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑或智能手机的电源管理单元中，FDP027N08B 可用作负载开关，实现对不同负载的动态供电管理。

5. 逆变器和太阳能系统：  
   该器件可应用于小型逆变器或太阳能微逆变器中，作为功率级开关元件，帮助将直流电转换为交流电，支持绿色能源解决方案。

6. 汽车电子：  
   在汽车电子领域，FDP027N08B 可用于启动电路、车载充电器、LED 照明驱动等应用中。其坚固的设计和良好的热性能能够适应严苛的工作环境。

7. 工业控制：  
   在工业自动化设备中，如 PLC（可编程逻辑控制器）或伺服控制系统中，该 MOSFET 可用作信号放大或功率输出的开关元件。

综上所述，FDP027N08B 凭借其优异的电气特性和可靠性，适合多种高效率、高性能的功率开关和转换应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 80V 223A TO-220-3
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FDP027N08B
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	13530pF @ 40V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	178nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.7 毫欧 @ 100A，10V
供应商器件封装	TO-220-3
功率-最大值	246W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	50
漏源极电压(Vdss)	80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	120A （Tc）