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  • 型号: SI7392ADP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7392ADP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7392ADP-T1-GE3价格参考。VishaySI7392ADP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7392ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7392ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7392ADP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制和开关应用的场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性及小型封装的特点,适用于以下主要应用场景:

1. 电源管理:广泛应用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子设备中的电源管理系统,作为负载开关或DC-DC转换器中的开关元件。

2. 电池供电系统:在电池供电设备中用于实现高效的能量传输与管理,如电池充放电控制电路,有助于延长电池使用寿命。

3. 电机驱动与继电器替代:在小型电机驱动电路或固态继电器中作为高速开关使用,具备响应快、寿命长、无机械磨损的优点。

4. 工业控制系统:用于工业自动化设备中的信号切换、电源分配及保护电路中,提供稳定可靠的功率控制方案。

5. 汽车电子:可应用于车载电源系统、LED照明控制及各类车载模块的电源开关控制,符合汽车电子对可靠性和稳定性的高要求。

总之,SI7392ADP-T1-GE3 因其高性能与小尺寸特性,特别适合空间受限且对效率与稳定性有较高要求的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI7392ADP-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1465pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5 毫欧 @ 12.5A,10V

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

功率-最大值

27.5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

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