Datasheet下载- 型号： PSMN025-100D,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN025-100D,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN025-100D,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN025-100D,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN025-100D,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN025-100D,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN025-100D,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有100V耐压、25mΩ典型导通电阻（Rds(on) @ Vgs=10V）、连续漏极电流达76A（Tc=25°C）等特性。其低导通损耗与快速开关性能，适用于中高功率、高频开关场景。 典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：如通信设备、服务器及工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST转换器主开关管； 2. 电机控制：用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动的H桥下桥臂或单相驱动，尤其适合12–48V供电系统； 3. 负载开关与热插拔保护：凭借低Rds(on)和强雪崩耐受能力，适用于板级电源管理模块中的智能配电与过流保护； 4. LED照明驱动：在恒流调光电路或大功率LED驱动器中作为PWM调光开关； 5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（该型号为工业级，但参数适配部分车载应用），可用于车身控制模块（BCM）、风扇/泵驱动等非安全关键场景。 注：该器件为逻辑电平MOSFET（Vgs(th)低至1.0–2.1V），可直接由MCU GPIO（3.3V/5V）驱动，无需额外栅极驱动IC，简化设计并降低成本。实际应用中需注意PCB散热设计与栅极驱动稳定性，以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 47A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN025-100D,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-8113-6 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tmb） |
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