| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6612TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6612TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6612TR1PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6612TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6612TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF6612TR1PBF是一款单N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高效率和良好热性能,适用于多种功率电子应用。该器件广泛应用于以下场景: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和电源模块,适用于通信设备、服务器和工业电源系统。 2. 电机控制:用于直流电机、步进电机的驱动电路,常见于工业自动化、机器人和电动工具中。 3. 负载开关:作为高效电子开关,控制电池供电设备中的电源分配,如笔记本电脑、平板和便携式医疗设备。 4. 照明系统:在LED照明驱动电路中实现高效调光与电流控制。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、电机驱动和照明控制,符合汽车应用对可靠性和效率的要求。 该MOSFET采用TSON封装,体积小、散热好,适合高密度和高效率要求的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 24A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6612TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3970pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 24A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6612TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Ta), 136A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6612.spi |