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IRFS9N60APBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS9N60APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS9N60APBF价格参考。VishayIRFS9N60APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 9.2A(Tc) 170W(Tc) D2PAK。您可以下载IRFS9N60APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS9N60APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFS9N60APBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该器件适用于开关模式电源中的高频开关应用,例如DC-DC转换器、反激式变换器和升压/降压电路。其高电压耐受能力(600V)和低导通电阻(典型值为1.2Ω)使其在这些场景中表现出色。 2. 电机驱动:IRFS9N60APBF可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为功率开关控制电机的启停、速度和方向。其快速开关特性和良好的热性能有助于提高效率并降低能耗。 3. 逆变器:在太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,这款MOSFET可以用于将直流电转换为交流电的过程。它能够承受较高的电压波动,并提供稳定的电流输出。 4. 负载切换:在需要频繁开启或关闭大电流负载的应用中,如LED照明系统或汽车电子设备,该MOSFET可用作高效的负载切换开关。 5. 保护电路:由于其具备较高的击穿电压和良好的过流保护特性,IRFS9N60APBF适合用作过压、过流保护电路中的关键元件,确保下游电路的安全运行。 6. 音频放大器:在某些高性能音频放大器设计中,此MOSFET可作为输出级功率开关,以实现更高的音频质量和更低的失真。 总之,IRFS9N60APBF凭借其优良的电气参数和可靠性,广泛应用于各种工业、消费类电子产品以及汽车领域中的功率管理与控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAKMOSFET N-Chan 600V 9.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFS9N60APBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS9N60APBFIRFS9N60APBF |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 750 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 750 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRFS9N60APBF |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.2A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |