ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN012-60YS,115
Datasheet下载- 型号： PSMN012-60YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PSMN012-60YS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN012-60YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN012-60YS,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN012-60YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 59A（Tc） 89W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN012-60YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN012-60YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN012-60YS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）：该 MOSFET 的高效率和低导通电阻特性使其非常适合用于开关模式电源的设计中，如 DC-DC 转换器、降压或升压电路等。 2. 电机驱动：在小型电机控制应用中，这款 MOSFET 可以用作驱动元件，实现对电机速度和方向的有效控制。例如，用于家用电器中的风扇、水泵或其他小型直流电机。 3. 负载切换：在需要频繁开启或关闭大电流负载的情况下，PSMN012-60YS,115 可作为理想的电子开关，确保快速且可靠地切换负载。 4. 电池管理系统（BMS）：此型号的 MOSFET 常用于保护电池免受过充、过放或短路损害，特别是在电动车、便携式设备及储能系统中。 5. 逆变器：适用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，帮助将直流电转换为交流电，提供给家庭或工业用电设备使用。 6. LED 驱动：对于高亮度 LED 照明应用来说，该器件能够稳定地调节电流输出，保证 LED 的亮度一致性和寿命延长。 7. 汽车电子：由于其良好的电气性能和耐用性，在车载电子设备如信息娱乐系统、电动助力转向系统(EPAS)以及制动系统中也有广泛应用。 总之，PSMN012-60YS,115 凭借其出色的电气参数（如低 Rds(on)、高耐压值等），成为众多电力电子应用的理想选择，尤其适合那些要求高效能、小尺寸解决方案的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 59A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN012-60YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1685pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.1 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-4977-1 |
| 功率-最大值 | 89W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 59A （Tc） |
.jpg)
