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详细数据请看参考数据手册
- 型号： HAT2174H-EL-E
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HAT2174H-EL-E由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HAT2174H-EL-E价格参考。RENESAS ELECTRONICSHAT2174H-EL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HAT2174H-EL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HAT2174H-EL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America（瑞萨电子）的HAT2174H-EL-E是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，属于单N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效功率控制和低导通电阻的电子系统中。 HAT2174H-EL-E的主要特点包括低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、马达控制以及电池供电设备中的功率开关应用。 具体应用场景包括： 1. 电源管理系统：用于笔记本电脑、平板电脑、服务器等设备中的高效电源开关和电压调节模块。 2. DC-DC转换器：在车载电源系统、工业电源模块中实现高效的电压转换。 3. 电机驱动与负载开关：适用于小型电机控制、继电器替代和高边/低边开关电路。 4. 电池供电设备：如便携式医疗设备、智能家电、无人机等，用于延长电池寿命并提高能效。 5. 工业自动化与控制系统：作为功率开关用于PLC、传感器模块和工业机器人中的电能控制。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，同时具备良好的抗静电能力和可靠性，适用于中高功率、高效率要求的各类电子系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HAT2174H-EL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2280pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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