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Datasheet下载- 型号： IRLMS1902TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLMS1902TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLMS1902TRPBF价格参考。International RectifierIRLMS1902TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLMS1902TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLMS1902TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRLMS1902TRPBF 是一款 N 沟道逻辑级增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。以下是其主要应用场景及特点：
1. 低电压应用
- 特点：该 MOSFET 的栅极驱动电压较低，适合逻辑电平直接驱动（例如 3.3V 或 5V 系统），无需额外的驱动电路。
- 应用场景：
- 移动设备中的电源管理
- USB 充电器和便携式电子设备
- 电池供电的系统（如蓝牙音箱、智能手表等）
2. 开关电源（SMPS）
- 特点：具备低导通电阻（Rds(on)），能够减少功率损耗，提高效率。
- 应用场景：
- DC-DC 转换器中的同步整流
- 开关模式电源的初级或次级侧开关
3. 电机驱动
- 特点：能够承受较高的电流负载，并且开关速度快。
- 应用场景：
- 小型直流电机控制（如风扇、玩具电机）
- 伺服电机驱动
- BLDC（无刷直流电机）控制器中的低边开关
4. 负载开关
- 特点：快速开关能力和低导通损耗使其非常适合用作负载开关。
- 应用场景：
- 智能家居设备中的电源管理
- 工业自动化中的传感器供电控制
5. 保护电路
- 特点：可配置为过流保护或短路保护电路的一部分。
- 应用场景：
- 电池保护电路
- 过流保护模块
6. 音频功放
- 特点：低导通电阻有助于降低功放电路中的热损耗。
- 应用场景：
- D 类音频放大器中的开关元件
总结
IRLMS1902TRPBF 适用于需要高效、低功耗和快速开关的场景，特别适合消费电子、工业控制和通信设备等领域。其小型封装（如 LFPAK 或 SOIC）也使其非常适合空间受限的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 300 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOPMOSFET MOSFT 20V 3.2A 100mOhm 4.7nC LogLvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLMS1902TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLMS1902TRPBF |
| PCN其它 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.7 W |
| Pd-功率耗散 | 1.7 W |
| Qg-GateCharge | 4.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2.2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | Micro6™（TSOP-6） |
| 其它名称 | IRLMS1902PBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 封装/箱体 | Micro-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 3.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.2A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlms1902.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlms1902.spi |
| 配置 | Single |
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