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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIB6N60A由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIB6N60A价格参考。VishayIRFIB6N60A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFIB6N60A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFIB6N60A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix生产的IRFIB6N60A是一款高压、高速的N沟道增强型功率MOSFET,常用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统中。其主要应用场景包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动以及照明镇流器等。 该器件耐压高达600V,适合工作在高压环境中,具备较低的导通电阻与优秀的开关特性,有助于减少能量损耗并提升系统整体效率。因此,广泛应用于工业电源设备、消费类电子产品电源适配器、家用电器(如空调、洗衣机)中的电机控制模块,以及太阳能逆变器等可再生能源系统中。 此外,IRFIB6N60A还具备良好的热稳定性和抗雪崩能力,适用于环境条件较严苛的工业控制和自动化设备。由于其采用TO-220或类似封装,便于散热安装,适合中等功率级别的应用场合。 综上所述,IRFIB6N60A主要适用于中高电压、中等功率的开关与功率控制场景,尤其在追求高效能与高可靠性的电力电子系统中表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFIB6N60A |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 3.3A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFIB6N60A |
功率-最大值 | 60W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.5A (Tc) |