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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP80N6F6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP80N6F6价格参考。STMicroelectronicsSTP80N6F6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STP80N6F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP80N6F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP80N6F6是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器,支持高效能和低损耗的功率转换。 2. 电机控制:用于直流电机驱动器、无刷电机控制器及工业自动化设备中,提供快速开关响应和高电流承载能力。 3. 照明系统:常见于LED照明驱动电路和高强度放电灯(HID)镇流器中,实现高效稳定的电流控制。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、电动助力转向(EPS)及车载充电器等应用,具备良好的热稳定性和可靠性。 5. 消费电子产品:如充电器、笔记本电源管理系统等,因其高效率和小尺寸封装,适合紧凑型设计。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(60V)和大电流能力(80A),适合高频开关应用,提升系统效率并减少散热需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 60V TO-220MOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 110 A |
Id-连续漏极电流 | 110 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP80N6F6DeepGATE™, STripFET™ VI |
数据手册 | |
产品型号 | STP80N6F6 |
Pd-PowerDissipation | 150 W |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Qg-GateCharge | 122 nC |
Qg-栅极电荷 | 122 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7480pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 122nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.8 毫欧 @ 50A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-13976-5 |
功率-最大值 | 150W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 110A (Tc) |
系列 | STP80N6F6 |
配置 | Single |