Datasheet下载- 型号： DMP56D0UFB-7
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP56D0UFB-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP56D0UFB-7价格参考。Diodes Inc.DMP56D0UFB-7封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMP56D0UFB-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMP56D0UFB-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP56D0UFB-7是一款单N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适用于多种电源管理和功率控制场景。该器件采用TDFN封装，体积小巧，散热性能良好，适合高密度电路设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路中，提升系统能效。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等，用于电源开关或功率调节。 3. 电机驱动：在小型电机或步进电机驱动电路中作为功率开关使用。 4. 负载开关与热插拔控制：用于服务器、通信设备中对电源域进行精确控制。 5. LED照明驱动：用于LED背光或照明系统的开关控制。 6. 工业控制：用于PLC、传感器模块、继电器替代等工业自动化设备中。 该MOSFET具有较高的耐用性和稳定性，适合在中低功率应用中替代传统晶体管，提升系统效率与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | DMP56D0UFB-7 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50.54pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.58nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 欧姆 @ 100mA，4V |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006（1.0x0.6） |
| 其它名称 | DMP56D0UFB-7DICT |
| 功率-最大值 | 425mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-UFDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 200mA （Ta） |
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