Datasheet下载- 型号： STP7N80K5
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP7N80K5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP7N80K5价格参考。STMicroelectronicsSTP7N80K5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP7N80K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP7N80K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STP7N80K5是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于FET（场效应晶体管）的一种。该器件广泛应用于需要高效、高电压开关性能的场合。 主要参数特点： - 漏源电压（VDS）：800V - 连续漏极电流（ID）：7A - 导通电阻（RDS(on)）较低，典型值为1.1Ω - 采用TO-220或D²PAK等封装形式，便于散热和安装 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC/DC转换器、DC/DC转换器等电源模块，因其高耐压和低导通损耗特性，有助于提高电源效率。 2. 电机驱动与控制：用于工业自动化设备中的电机驱动电路，实现对电机启停、转速和方向的精确控制。 3. 照明系统：如LED驱动电源、高压气体放电灯（HID）镇流器等，适合高电压工作环境。 4. 家电控制：如电磁炉、电饭煲等家电中的功率控制部分，实现高可靠性和节能效果。 5. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变系统中，作为关键的功率开关元件。 6. 工业自动化设备：如PLC、继电器替代电路、工业控制模块等，提供高可靠性和长寿命的开关性能。 该MOSFET具有良好的热稳定性和抗雪崩能力，适合在中高功率应用中替代双极型晶体管（BJT），提高系统效率和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6A TO220MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A SuperMESH 5 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP7N80K5SuperMESH5™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP7N80K5 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 13.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 8.3 ns |
| 下降时间 | 20.2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13589-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF254108?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 11.3 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 系列 | STP7N80K5 |
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