Datasheet下载- 型号： SUD19P06-60L-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD19P06-60L-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD19P06-60L-E3价格参考。VishaySUD19P06-60L-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUD19P06-60L-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD19P06-60L-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD19P06-60L-E3是一款P沟道增强型MOSFET，适用于多种电源管理与功率开关场景。其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中的电源开关与电池管理，用于控制电池充放电和系统供电切换；在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关，提升转换效率；广泛用于负载开关电路，实现对不同功能模块的上电时序控制与过流保护；也适用于电机驱动、继电器驱动等中低功率开关应用。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高可靠性及良好的热性能，采用PowerPAK封装，节省空间且散热性能好，适合高密度PCB布局。此外，SUD19P06-60L-E3符合RoHS环保标准，具备高抗噪能力和稳定性，适用于工业控制、消费电子及通信设备等领域。总体而言，该MOSFET在需要高效、小型化和可靠性的低压功率开关设计中表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 19A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUD19P06-60L-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1710pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | SUD19P06-60L-E3CT |
| 功率-最大值 | 2.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
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