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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS23N15D由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS23N15D价格参考。International RectifierIRFS23N15D封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFS23N15D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFS23N15D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRFS23N15D的MOSFET,属于功率场效应晶体管(FET),主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的热性能,适合用于以下几种典型应用场景: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等,IRFS23N15D可用于开关元件,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中,作为功率开关使用,适用于电动工具、工业自动化设备及机器人控制系统。 3. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车、储能系统或便携式设备中的充放电控制,具备良好的导通损耗和可靠性。 4. 负载开关与继电器替代:在需要频繁开关高电流负载的场合,如照明控制、加热元件控制中,可取代传统机械继电器,提高寿命与稳定性。 5. 逆变器系统:适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)等设备中,支持高频开关操作,提升系统效率。 总之,IRFS23N15D凭借其高性能参数,在各类中高功率电子系统中广泛用于实现高效、紧凑和可靠的电路设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFS23N15D |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 14A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | *IRFS23N15D |
功率-最大值 | 3.8W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Tc) |