Datasheet下载- 型号： IRFR9N20DTR
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9N20DTR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9N20DTR价格参考。International RectifierIRFR9N20DTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR9N20DTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR9N20DTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFR9N20DTR 是一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有200V的高漏源电压（VDS）和较强的电流处理能力，适用于中高功率开关应用。 IRFR9N20DTR 主要应用于电源管理与功率控制领域。常见使用场景包括：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动电路。由于其具备良好的导通电阻（RDS(on)）特性和快速开关性能，适合用于高效能、低损耗的电源系统设计中。 此外，该MOSFET广泛用于工业控制设备、消费类电子产品（如电视、显示器电源模块）以及家用电器中的负载开关和保护电路。在电池供电系统或需要反向极性保护的场合，IRFR9N20DTR也常被用作理想二极管替代方案，以提升系统效率。 其采用TO-252（DPAK）封装，便于散热并支持自动化贴装，适用于表面贴装技术（SMT），适合现代紧凑型电子产品的制造需求。整体而言，IRFR9N20DTR凭借高耐压、可靠性和稳定性，在多种中高压开关应用中表现优异，是工业与消费电子领域中常见的功率开关元件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR9N20DTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 86W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.4A （Tc） |
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