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  • 型号: IRLB4030PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRLB4030PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLB4030PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLB4030PBF价格参考¥16.92-¥38.24。International RectifierIRLB4030PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 180A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRLB4030PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLB4030PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRLB4030PBF 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

1. 开关电源 (SMPS):  
   IRLB4030PBF 具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,非常适合用于开关电源中的高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、降压/升压转换器等。

2. 电机驱动:  
   该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。其低 Rds(on) 可以减少功率损耗,提高效率,同时支持高电流输出,满足电机启动和运行的需求。

3. 电池管理:  
   在电池管理系统中,IRLB4030PBF 可用作充电/放电控制开关或保护电路中的关键元件,确保电池的安全性和稳定性。

4. 负载切换:  
   由于其低导通电阻和出色的热性能,该 MOSFET 常用于负载切换电路中,实现对不同负载的高效控制。

5. 逆变器与太阳能系统:  
   在小型逆变器或太阳能微逆变器中,IRLB4030PBF 可作为功率级开关,帮助实现高效的能量转换。

6. 汽车电子:  
   该 MOSFET 也可应用于汽车电子领域,例如电动车窗、雨刷器、座椅调节等需要低功耗和高可靠性的场景。

7. LED 驱动:  
   在大功率 LED 照明应用中,IRLB4030PBF 可用作恒流驱动电路中的开关元件,提供稳定的电流输出并降低能耗。

8. 工业自动化:  
   该器件可用于工业自动化设备中的信号隔离、电磁阀控制、继电器驱动等场合,具备良好的耐用性和稳定性。

总结来说,IRLB4030PBF 凭借其低 Rds(on)、高电流能力和快速开关速度,在各种需要高效功率转换和控制的应用中表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 100V 180A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

180 A

Id-连续漏极电流

180 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLB4030PBFHEXFET®

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产品型号

IRLB4030PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

370 W

Pd-功率耗散

370 W

Qg-GateCharge

87 nC

Qg-栅极电荷

87 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

16 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

11360pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.3 毫欧 @ 110A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

370W

功率耗散

370 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

4.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

87 nC

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

180 A

漏源极电压(Vdss)

100V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/InternationalRectifier/trench.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

180A (Tc)

闸/源击穿电压

16 V

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