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Datasheet下载- 型号： IRFH6200TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRFH6200TR2PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH6200TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH6200TR2PBF价格参考。International RectifierIRFH6200TR2PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 49A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），156W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRFH6200TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH6200TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFH6200TR2PBF的器件是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率MOSFET类别，主要用于高效率电源转换和功率控制应用。 该器件的应用场景主要包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）或步进电机控制中作为功率开关使用，常见于工业自动化、机器人及电动工具中。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制与保护电路中，适用于电动汽车（EV）、储能系统和便携式电子设备。 4. 负载开关与热插拔应用：在服务器和网络设备中，用于控制电源的通断，实现安全热插拔功能。 5. LED照明系统：用于高功率LED驱动电路中，提供高效的电流控制和调光功能。 该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高频率工作能力和良好的热性能，适合高频开关应用，有助于提升系统能效并减小整体尺寸。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRFH6200TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10890pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.2 毫欧 @ 50A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH6200TR2PBFCT |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVQFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 45A （Ta）， 100A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh6200pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh6200pbf.spi |
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