Datasheet下载- 型号： 2SK2463T100
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2463T100由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2463T100价格参考。ROHM Semiconductor2SK2463T100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK2463T100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK2463T100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的2SK2463T100是一款N沟道MOSFET，主要应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）中，能够提供高效的电力转换和稳定的输出电压。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，例如风扇、泵或伺服电机，2SK2463T100可以用作开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载开关：在消费电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，这款MOSFET可用作负载开关，以保护电路免受过流和短路的影响。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电动车、便携式设备和其他需要电池供电的应用中，作为电池充放电的控制开关，确保电池的安全和寿命。 5. 信号切换：在通信设备和工业控制系统中，可以用来切换高频率或高电压信号，保证信号的完整性和系统的稳定性。 6. 逆变器应用：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，用作功率开关，将直流电转换为交流电。 7. 保护电路：在各种电子设备中，可以用作过流保护、过压保护和短路保护的元件，提高系统的可靠性和安全性。 总之，2SK2463T100因其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合于多种需要高效能和高可靠性的电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2A MPT3MOSFET TRANS MOSFET N-CH 60V 2A TR |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor 2SK2463T100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK2463T100 |
| Pd-PowerDissipation | 0.5 W |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 1A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MPT3 |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 450 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | MPT-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 配置 | Single |
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