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  • 型号: IRFBC40APBF
  • 制造商: Vishay
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IRFBC40APBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC40APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC40APBF价格参考。VishayIRFBC40APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBC40APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC40APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRFBC40APBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   IRFBC40APBF适用于开关电源中的高频开关应用,如DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率并降低功耗。

2. 电机驱动  
   该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。

3. 电池管理  
   在电池管理系统(BMS)中,IRFBC40APBF可用作充放电路径的开关,实现过流保护、短路保护和负载切换功能。

4. 逆变器  
   该器件适用于小型逆变器,用于将直流电转换为交流电,例如太阳能微逆变器或家用应急电源系统。

5. 负载开关  
   在需要高效负载切换的应用中,如消费电子设备或工业控制系统,IRFBC40APBF可以作为负载开关,实现快速、低损耗的电路切换。

6. LED驱动  
   在大功率LED照明应用中,这款MOSFET可以用作PWM调光开关或恒流源的一部分,以精确控制LED亮度。

7. 电信与网络设备  
   该MOSFET可用于电信基站、路由器或其他网络设备的电源管理模块中,提供稳定高效的电源支持。

8. 汽车电子  
   虽然IRFBC40APBF并非专门设计用于汽车环境,但在某些非关键车载应用中(如车灯控制或辅助电子设备),它也可以发挥作用。

总之,IRFBC40APBF凭借其出色的电气性能和可靠性,适合需要高效功率转换和开关操作的各种场景。在具体应用时,需根据实际需求选择合适的外围电路设计以确保最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.2 A

Id-连续漏极电流

6.2 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC40APBF-

数据手册

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产品型号

IRFBC40APBFIRFBC40APBF

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

23 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1036pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

42nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.2 欧姆 @ 3.7A,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

*IRFBC40APBF

典型关闭延迟时间

31 ns

功率-最大值

125W

功率耗散

125 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

1.2 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

6.2 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 30 V

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