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IRFBC40APBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBC40APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBC40APBF价格参考。VishayIRFBC40APBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFBC40APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFBC40APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFBC40APBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS) IRFBC40APBF适用于开关电源中的高频开关应用,如DC-DC转换器和AC-DC适配器。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 电池管理 在电池管理系统(BMS)中,IRFBC40APBF可用作充放电路径的开关,实现过流保护、短路保护和负载切换功能。 4. 逆变器 该器件适用于小型逆变器,用于将直流电转换为交流电,例如太阳能微逆变器或家用应急电源系统。 5. 负载开关 在需要高效负载切换的应用中,如消费电子设备或工业控制系统,IRFBC40APBF可以作为负载开关,实现快速、低损耗的电路切换。 6. LED驱动 在大功率LED照明应用中,这款MOSFET可以用作PWM调光开关或恒流源的一部分,以精确控制LED亮度。 7. 电信与网络设备 该MOSFET可用于电信基站、路由器或其他网络设备的电源管理模块中,提供稳定高效的电源支持。 8. 汽车电子 虽然IRFBC40APBF并非专门设计用于汽车环境,但在某些非关键车载应用中(如车灯控制或辅助电子设备),它也可以发挥作用。 总之,IRFBC40APBF凭借其出色的电气性能和可靠性,适合需要高效功率转换和开关操作的各种场景。在具体应用时,需根据实际需求选择合适的外围电路设计以确保最佳性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220ABMOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFBC40APBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRFBC40APBFIRFBC40APBF |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 18 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1036pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 3.7A,10V |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRFBC40APBF |
典型关闭延迟时间 | 31 ns |
功率-最大值 | 125W |
功率耗散 | 125 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 1.2 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 6.2 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.2A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 30 V |