Datasheet下载- 型号： STD30NE06L
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD30NE06L由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD30NE06L价格参考。STMicroelectronicsSTD30NE06L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD30NE06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD30NE06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STD30NE06L是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有60V的漏源击穿电压和高达30A的连续漏极电流能力，导通电阻低，开关速度快，适用于高效率、大电流的电源管理场景。 主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如电源适配器、充电器、工业电源模块等，因其低导通损耗可提高整体能效。 2. 电机驱动：适用于中小型直流电机或步进电机的控制电路，常见于电动工具、家用电器（如风扇、洗衣机）、电动车窗等设备中。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为核心开关元件，实现电能的高效转换与稳定输出。 4. LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动电源，支持高亮度照明系统的高效调光与稳定工作。 5. 电池管理系统（BMS）与保护电路：在锂电池充放电控制中作为开关元件，提供过流、短路保护功能。 6. 消费电子与工业控制：如电视、显示器电源板、工业自动化设备中的功率开关模块。 得益于其内置快速恢复体二极管、优良的热稳定性和坚固的封装（如TO-220或I2PAK），STD30NE06L在高温、高负载环境下仍能可靠运行，是中低压大电流应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STD30NE06L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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