| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD020PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD020PBF价格参考。VishayIRFD020PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFD020PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD020PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFD020PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于低电压、中功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关,如笔记本电脑、平板、移动电源等,用于控制电源通断,提高能效并减少静态电流。 2. 电机驱动:在小型电机或风扇控制电路中作为开关元件,适用于打印机、电动工具、家用电器等设备。 3. 负载开关与继电器替代:因其低导通电阻和小封装,适合用于替代机械继电器,在自动控制、工业自动化系统中实现快速、可靠的电子开关功能。 4. DC-DC 转换器:在同步整流电路中作为高边或低边开关,用于提升转换效率,常见于小型电源模块、适配器等。 5. 保护电路:可用于过流、欠压保护电路中,作为切断负载的执行元件。 该器件采用 8-SOIC 封装,体积小,易于焊接与集成,适合表面贴装工艺。其工作电压与电流适中(VDS=-20V,ID=-1.4A),适用于低压便携设备和嵌入式系统中的功率控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIPMOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.7 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD020PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD020PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 26 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 1.4A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD020PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
| 封装/箱体 | DIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 1.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.4A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |