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FDS4897C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4897C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4897C价格参考。Fairchild SemiconductorFDS4897C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FDS4897C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS4897C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS4897C是安森美(ON Semiconductor)推出的一款MOSFET阵列器件,属于N沟道增强型功率MOSFET,采用小型化封装(如PowerPAK SO-8双芯片封装),集成两个独立的MOSFET管芯。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热性能,适用于对空间和效率要求较高的应用场景。 典型应用包括: 1. 电源管理:广泛用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的DC-DC转换器、负载开关和电源切换电路,帮助提升能效并降低功耗。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制中作为开关元件,适用于消费类机器人、打印机和电动工具等设备。 3. 热插拔与电源开关:用于USB电源管理、接口保护电路中,实现过流保护和软启动功能,防止电流冲击。 4. 电池供电系统:在电池管理系统(BMS)或多节电池切换电路中,用于控制充放电路径,提高系统安全性和可靠性。 5. LED背光驱动:在液晶显示设备中用于LED背光的开关控制,支持高效调光功能。 FDS4897C凭借其高集成度、小尺寸封装和优异的电气性能,特别适合高密度PCB布局和空间受限的设计,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOICMOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.2 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4897CPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS4897C |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 3 ns, 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 29 毫欧 @ 6.2A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS4897CCT |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns, 45 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.2A,4.4A |
| 系列 | FDS4897 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |