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型号： FDMS7600AS
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FDMS7600AS产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FDMS7600AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMS7600AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDMS7600AS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 12A，22A 1W 表面贴装 Power56。您可以下载FDMS7600AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDMS7600AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET 2N-CH 30V POWER56MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	12 A
Id-连续漏极电流	30 A, 40 A
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMS7600ASPowerTrench®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FDMS7600AS
Pd-PowerDissipation	1 W
Pd-功率耗散	1 W
Qg-GateCharge	20 nC, 81 nC
Qg-栅极电荷	20 nC, 81 nC
RdsOn-漏源导通电阻	7.5 mOhms, 2.8 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.8 V, 1.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.8 V, 1.5 V
上升时间	2.5 ns, 7.6 ns
下降时间	2.3 ns, 5.2 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1750pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	28nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	7.5 毫欧 @ 12A，10V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	Power56
其它名称	FDMS7600ASCT
典型关闭延迟时间	20 ns, 45 ns
功率-最大值	1W
包装	剪切带（CT）
单位重量	211 mg
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-PQFN，Power56
封装/箱体	Power 56-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	1
正向跨导-最小值	63 S, 190 S
漏源极电压(Vdss)	30V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	30A，40A
系列	FDMS7600AS
配置	Dual