Datasheet下载- 型号： TPS1120DG4
- 制造商： Texas Instruments
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPS1120DG4由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPS1120DG4价格参考。Texas InstrumentsTPS1120DG4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TPS1120DG4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPS1120DG4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPS1120DG4 是 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款双路 N 沟道功率 MOSFET 阵列器件。它主要用于需要高效功率控制和负载开关管理的应用场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源分配系统，实现对不同电路模块的高效供电控制。 2. 电机驱动：适用于小型电机、步进电机或直流电机的驱动控制，特别是在机器人、自动化设备中。 3. 工业控制：如 PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器、执行器等设备中的开关控制。 4. 电池供电设备：用于笔记本电脑、平板、便携式测试设备等产品中，作为高效能开关元件，降低功耗并提高电池寿命。 5. LED 照明控制：用于 LED 驱动电路中，实现亮度调节和多路 LED 的独立控制。 6. 通信设备：如网络交换设备、路由器中的电源开关和负载管理。 该器件具有低导通电阻、高集成度和较好的热稳定性，适合中低功率应用场景，有助于简化电路设计并提高系统可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | TPS1120DG4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=TPS1120DG4 |
| 功率-最大值 | 840mW |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 15V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.17A |
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