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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9952TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9952TR价格参考。International RectifierIRF9952TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9952TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9952TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF9952TR是一款MOSFET阵列器件,属于功率场效应晶体管(FET)类别。该器件集成了多个MOSFET晶体管在一个封装中,通常用于高效率、高功率密度的电力电子系统设计。 IRF9952TR的应用场景主要包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用,特别适合需要高效能与小型化设计的电源模块。 2. 电机控制:在无刷直流电机(BLDC)驱动、伺服电机控制及电动工具中,作为功率开关使用,实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 汽车电子:由于英飞凌在汽车半导体领域具有领先地位,该器件也广泛应用于车载电源系统、车身控制模块以及LED照明驱动电路中。 4. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业电源和继电器替代方案,提供可靠的高频开关性能。 5. 消费类电子产品:如高功率LED照明、智能家电中的功率控制单元等。 该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适合用于紧凑型、高效率的设计。其封装形式适合表面贴装,便于自动化生产。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF9952TR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 190pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 2.2A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 4,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.5A,2.3A |