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  • 型号: IRF9952TR
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9952TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9952TR价格参考。International RectifierIRF9952TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9952TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9952TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF9952TR是一款MOSFET阵列器件,属于功率场效应晶体管(FET)类别。该器件集成了多个MOSFET晶体管在一个封装中,通常用于高效率、高功率密度的电力电子系统设计。

IRF9952TR的应用场景主要包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用,特别适合需要高效能与小型化设计的电源模块。

2. 电机控制:在无刷直流电机(BLDC)驱动、伺服电机控制及电动工具中,作为功率开关使用,实现对电机转速和方向的精确控制。

3. 汽车电子:由于英飞凌在汽车半导体领域具有领先地位,该器件也广泛应用于车载电源系统、车身控制模块以及LED照明驱动电路中。

4. 工业自动化:用于PLC(可编程逻辑控制器)、工业电源和继电器替代方案,提供可靠的高频开关性能。

5. 消费类电子产品:如高功率LED照明、智能家电中的功率控制单元等。

该器件具备低导通电阻、高开关速度和良好热性能,适合用于紧凑型、高效率的设计。其封装形式适合表面贴装,便于自动化生产。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N+P 30V 2.3A 8-SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

International Rectifier

数据手册

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产品图片

产品型号

IRF9952TR

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HEXFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

190pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 2.2A,10V

供应商器件封装

8-SO

功率-最大值

2W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

4,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A,2.3A

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