Datasheet下载- 型号： SSM6P35FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6P35FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6P35FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6P35FE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6P35FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6P35FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM6P35FE(TE85L,F) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET阵列，主要应用于以下场景： 该器件为P沟道MOSFET阵列，具备低导通电阻、高效率和小型封装的特点，适用于对空间和能效有较高要求的电子设备。常见应用包括： 1. 电源管理电路：如DC-DC转换器、负载开关等，用于提高能效和减小电路尺寸； 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等，因其低功耗特性适合便携设备； 3. 电机驱动电路：用于小型电机或步进电机的控制，特别是在需要多个MOSFET集成控制的场合； 4. 通信设备：如路由器、交换机中的电源模块，提供稳定高效的电流控制； 5. 工业控制与自动化设备：作为开关元件用于控制继电器、传感器或小型执行机构； 6. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制或车载充电模块中。 该MOSFET阵列采用小型表面贴装封装（如WSON），适合高密度PCB布局，并具备良好的热稳定性，适合在中低功率应用中替代多个分立MOSFET，简化设计并提高可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.1A ES6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P35FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6P35FE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12.2pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 50mA，4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6P35FE(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA |
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