Datasheet下载- 型号： IRFHM792TR2PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFHM792TR2PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFHM792TR2PBF价格参考。International RectifierIRFHM792TR2PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFHM792TR2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFHM792TR2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRFHM792TR2PBF是一款MOSFET阵列器件，主要用于高效率、高频率的功率转换应用。该器件集成了多个MOSFET单元，具有低导通电阻、高频开关能力和高可靠性，适用于对空间和效率要求较高的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等，用于提高能效和减小电路体积； 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动、电动工具和工业自动化系统中，实现高效、快速的开关控制； 3. 汽车电子：如车载充电器、电池管理系统（BMS）和48V轻混系统，满足汽车对高可靠性和工作温度范围的要求； 4. 工业自动化与电机驱动：用于变频器、伺服驱动器和工业电源模块； 5. 消费类电子产品：如高效率适配器、快充设备和智能家电中的功率控制模块。 该器件采用表面贴装封装，适合自动化生产，广泛应用于需要高集成度和高可靠性的中低功率场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A 8PQFNMOSFET MOSFT 100V dual 2.9A 195mOhm |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFHM792TR2PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFHM792TR2PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| Qg-GateCharge | 4.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 4.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 195 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 195 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 4.7 ns |
| 下降时间 | 2.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 10µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 251pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 195 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名称 | IRFHM792TR2PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 5.2 ns |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 DUAL |
| 工厂包装数量 | 400 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfhm792trpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfhm792trpbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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