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Datasheet下载- 型号： STS4DPF20L
- 制造商： STMicroelectronics
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STS4DPF20L产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STS4DPF20L由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS4DPF20L价格参考。STMicroelectronicsSTS4DPF20L封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 4A 1.6W 表面贴装 8-SO。您可以下载STS4DPF20L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STS4DPF20L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STS4DPF20L 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列。它是一种双通道 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种功率管理及信号切换的应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理： STS4DPF20L 可用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路等电源管理系统中。它的低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动： 该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启动、停止和方向切换。 3. 信号切换： 在多路复用器或多路信号切换应用中，STS4DPF20L 的低电容和快速开关特性使其成为理想的信号切换解决方案。 4. 负载开关： 在需要动态管理负载电流的设备中，例如便携式电子设备（如智能手机和平板电脑），该 MOSFET 可以用作高效的负载开关。 5. 电池保护： 该器件可用于电池组的过流保护和短路保护电路中，确保电池在安全的工作范围内运行。 6. 通信设备： 在通信设备中，STS4DPF20L 可用于射频前端模块中的功率控制和信号路径切换。 7. 消费类电子产品： 适用于各种消费类电子产品中的功率管理和信号处理任务，如音频放大器、LED 驱动器等。 STS4DPF20L 的小型封装（如 SO-8 或 DFN 封装）使其非常适合空间受限的设计，同时其出色的电气性能为高效能应用提供了保障。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOICMOSFET P-Ch 20 Volt 4 Amp |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS4DPF20LSTripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STS4DPF20L |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-8042-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC77/PF64934?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 125 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 85 mg |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
| 系列 | STS4DPF20L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
