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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN4031SSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN4031SSD-13价格参考¥1.28-¥1.44。Diodes Inc.DMN4031SSD-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN4031SSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN4031SSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN4031SSD-13是一款双N沟道增强型MOSFET阵列,常用于需要高效开关和电源管理的应用场景。该器件适用于以下领域: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统,适用于笔记本电脑、平板和移动设备中的高效电源设计。 2. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路,常见于打印机、扫描仪和自动化设备。 3. 负载开关:作为电子开关控制外围设备的供电,如USB端口电源控制或传感器模块的电源管理。 4. 信号路由:在模拟或数字电路中用于高速信号切换,如通信设备中的通道选择或隔离控制。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动或传感器接口电路,满足对可靠性和效率的要求。 其优势在于低导通电阻、小封装节省空间,且支持高开关速度,适合中低功率应用。设计时需注意散热和栅极驱动电压匹配。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SOMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 SO-8,2.5K |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-连续漏极电流 | 7 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN4031SSD-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN4031SSD-13 |
PCN其它 | |
Pd-PowerDissipation | 1.42 W |
Pd-功率耗散 | 1.42 W |
Qg-GateCharge | 18.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 18.6 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 31 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 9.7 ns |
下降时间 | 3.1 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 945pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 31 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMN4031SSD-13DICT |
典型关闭延迟时间 | 19.8 ns |
功率-最大值 | 1.42W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 31 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 11 S |
汲极/源极击穿电压 | 40 V |
漏极连续电流 | 7 A |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.2A |
系列 | DMN4031 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |