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Datasheet下载- 型号： STW26NM50
- 制造商： STMicroelectronics
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STW26NM50产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW26NM50由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW26NM50价格参考。STMicroelectronicsSTW26NM50封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 30A（Tc） 313W（Tc） TO-247-3。您可以下载STW26NM50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW26NM50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW26NM50是一款N沟道MOSFET晶体管，具有多种应用场景，尤其适用于需要高效能和低损耗的电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：STW26NM50广泛应用于开关电源（SMPS）中，作为功率开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以显著降低传导损耗，提高电源转换效率。适合用于计算机、服务器、通信设备等高要求的电源系统。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动器中，STW26NM50能够提供高效的电流切换和控制，确保电机运行稳定且高效。其快速开关特性和低损耗有助于延长电池寿命并减少发热。 3. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、工业变频器等应用中，STW26NM50可用于构建H桥或半桥电路，实现对交流电的高效转换和调制。其良好的热性能和可靠性使得它能够在恶劣环境下长时间稳定工作。 4. 负载开关：该器件也适用于负载开关应用，如USB充电器、便携式电子设备中的电源路径管理。通过精确控制开关状态，它可以有效保护电路免受过流、短路等问题的影响，同时保持较低的静态功耗。 5. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车和储能系统中，STW26NM50可用于电池组的充放电管理，确保电池的安全和长寿命。其低导通电阻有助于减少能量损失，提升整体系统的效率。 总之，STW26NM50凭借其优异的电气性能和可靠性，在各种电力电子设备中扮演着关键角色，特别适合需要高效能、低损耗的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STW26NM50 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 106nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 13A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-3264-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF65054?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 313W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
