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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF5N62K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF5N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTF5N62K3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF5N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF5N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF5N62K3是一款N沟道增强型MOSFET,主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压(620V)以及良好的热稳定性等特性,适用于多种工业及消费类电子设备。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC转换器中,如适配器、充电器、PC电源等,作为主开关管使用,提升系统效率和功率密度。 2. 电机驱动:可用于直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中,提供快速开关能力和过载保护。 3. 照明系统:在LED驱动电源中作为高频开关元件,支持调光功能并提高能效。 4. 逆变器与UPS系统:应用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等领域,实现电能的高效转换与稳定输出。 5. 工业自动化设备:用于PLC、继电器驱动、传感器供电模块等工业控制系统中,满足严苛环境下的稳定运行需求。 该MOSFET采用TO-220或DPAK等封装形式,便于散热和安装,适合在中高功率应用中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 4.2A TO220FPMOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH 3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF5N62K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF5N62K3 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-栅极电荷 | 26 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 620 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 620 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 680pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 欧姆 @ 2.1A,10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-12583-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250316?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.2A (Tc) |
| 系列 | STF5N62K3 |
| 配置 | Single |