Datasheet下载- 型号： NTHS5441T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHS5441T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHS5441T1G价格参考。ON SemiconductorNTHS5441T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHS5441T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHS5441T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHS5441T1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：NTHS5441T1G 的低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力使其非常适合用于开关电源中的功率开关。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用，提高效率并降低功耗。 - 负载开关：用于控制电路的开启和关闭，保护下游电路免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机，提供高效的开关和调速功能。 - H 桥电路：在双向电机控制应用中，用作 H 桥的功率开关元件。 3. 电池管理 - 电池保护电路：用于锂电池或其他可充电电池的充放电保护，防止过流、短路或过充。 - 电量监测：通过精确的导通电阻监控电池电流，帮助实现更准确的电量估算。 4. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于内部电源管理和信号切换。 - 音频设备：在音响或耳机放大器中用作开关或保护元件。 5. 通信设备 - 信号切换：在通信模块中用于高速信号的切换，确保低损耗和高可靠性。 - 天线切换：在射频前端模块中，用于天线路径的选择和优化。 6. 工业控制 - 继电器替代：在工业自动化系统中，用作固态继电器以实现更快、更可靠的开关。 - 传感器接口：用于驱动或控制各种传感器，提供稳定的电源输出。 7. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制系统等，利用其高可靠性和耐高温特性。 - LED 驱动：为汽车内外部 LED 灯提供高效驱动方案。 总结 NTHS5441T1G 凭借其优异的电气性能（如低 Rds(on)、高电流能力和快速开关速度），广泛应用于电源管理、电机驱动、电池保护、消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。其紧凑的封装形式（如 SOT-23 或更小封装）也使其非常适合空间受限的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET PWR P-CH 3.9A 20V CHIPFETMOSFET -20V -5.3A P-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTHS5441T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTHS5441T1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 46 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 46 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 710pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 3.9A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHS5441T1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 12 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A （Ta） |
| 系列 | NTHS5441T1 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Hex Drain |
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