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  • 型号: FQP10N20C
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP10N20C产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP10N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP10N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP10N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP10N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP10N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP10N20C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景广泛,主要适用于需要高效开关和功率管理的电子设备中。以下是其典型的应用场景:

1. 电源开关:  
   FQP10N20C 的耐压为 200V,适合用于高电压环境下的电源开关应用,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)以及逆变器等。

2. 电机驱动:  
   该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,例如家用电器中的风扇、水泵或玩具电机控制。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗并提高效率。

3. 负载切换:  
   在需要频繁切换负载的电路中,FQP10N20C 可用作负载开关,例如汽车电子系统中的继电器替代方案或 LED 照明控制。

4. 电池保护与管理:  
   它可以应用于电池管理系统(BMS),用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。

5. 音频放大器:  
   在一些低成本音频放大器设计中,FQP10N20C 可作为输出级功率器件,提供足够的电流驱动扬声器。

6. 工业自动化:  
   该 MOSFET 可用于工业控制领域,如可编程逻辑控制器(PLC)的输出模块、传感器接口电路以及电磁阀驱动等。

7. 通信设备:  
   在通信基站或网络设备中,FQP10N20C 可用于信号调理电路或辅助电源电路,以实现高效的功率传输。

8. 家电控制:  
   它适用于各种家用电器的控制电路,例如微波炉、冰箱、洗衣机等,用于控制加热元件、压缩机或其他大功率负载。

FQP10N20C 的高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其成为许多中低功率应用的理想选择。在实际使用中,应根据具体需求选择合适的驱动电路,并注意散热设计以确保器件稳定工作。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220MOSFET 200V N-Ch MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.5 A

Id-连续漏极电流

9.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP10N20CQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQP10N20C

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

72 W

Pd-功率耗散

72 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

360 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

360 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

92 ns

下降时间

72 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

510pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

360 毫欧 @ 4.75A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

70 ns

功率-最大值

72W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

5.5 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.5A (Tc)

系列

FQP10N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

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