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FQP10N20C产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP10N20C由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP10N20C价格参考。Fairchild SemiconductorFQP10N20C封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 200V 9.5A(Tc) 72W(Tc) TO-220-3。您可以下载FQP10N20C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP10N20C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP10N20C 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其应用场景广泛,主要适用于需要高效开关和功率管理的电子设备中。以下是其典型的应用场景: 1. 电源开关: FQP10N20C 的耐压为 200V,适合用于高电压环境下的电源开关应用,例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC Converter)以及逆变器等。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,例如家用电器中的风扇、水泵或玩具电机控制。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗并提高效率。 3. 负载切换: 在需要频繁切换负载的电路中,FQP10N20C 可用作负载开关,例如汽车电子系统中的继电器替代方案或 LED 照明控制。 4. 电池保护与管理: 它可以应用于电池管理系统(BMS),用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。 5. 音频放大器: 在一些低成本音频放大器设计中,FQP10N20C 可作为输出级功率器件,提供足够的电流驱动扬声器。 6. 工业自动化: 该 MOSFET 可用于工业控制领域,如可编程逻辑控制器(PLC)的输出模块、传感器接口电路以及电磁阀驱动等。 7. 通信设备: 在通信基站或网络设备中,FQP10N20C 可用于信号调理电路或辅助电源电路,以实现高效的功率传输。 8. 家电控制: 它适用于各种家用电器的控制电路,例如微波炉、冰箱、洗衣机等,用于控制加热元件、压缩机或其他大功率负载。 FQP10N20C 的高耐压、低导通电阻和良好的热性能使其成为许多中低功率应用的理想选择。在实际使用中,应根据具体需求选择合适的驱动电路,并注意散热设计以确保器件稳定工作。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220MOSFET 200V N-Ch MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.5 A |
Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP10N20CQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP10N20C |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 72 W |
Pd-功率耗散 | 72 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 360 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 360 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 92 ns |
下降时间 | 72 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 4.75A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 70 ns |
功率-最大值 | 72W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 5.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.5A (Tc) |
系列 | FQP10N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |