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PSMN1R5-30YL,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R5-30YL,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R5-30YL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R5-30YL,115封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 109W(Tc) LFPAK56,Power-SO8。您可以下载PSMN1R5-30YL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN1R5-30YL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R5-30YL,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装。其关键参数包括:VDS = 30 V、RDS(on) 典型值仅 1.5 mΩ(VGS = 10 V)、连续漏极电流 ID 高达 120 A(Tc = 25°C),具备低导通损耗与优异热性能。 该器件主要应用于对效率、功率密度和开关速度要求较高的中低压大电流场景,典型应用包括: ✅ DC-DC 转换器:如服务器/通信设备中的同步整流 Buck 转换器、POL(负载点)电源,利用其超低 RDS(on) 提升转换效率; ✅ 电机驱动:用于无人机电调(ESC)、电动工具、机器人关节驱动等中小功率 BLDC/PMSM 电机的半桥/全桥下管; ✅ 电源管理与负载开关:如主板/工控板上的高电流配电开关、热插拔保护电路、电池保护模块(配合保护 IC); ✅ LED 驱动与照明系统:适用于大功率 LED 恒流调光或 PWM 调光开关; ✅ 汽车电子(符合AEC-Q101):车载 USB PD 快充模块、ADAS 系统电源管理、车身控制单元(BCM)中的高可靠性负载切换。 其逻辑电平驱动特性(VGS(th) ≈ 1.0–2.0 V)支持 3.3 V 或 5 V MCU 直接驱动,简化外围电路;LFPAK56 封装兼具低寄生电感与高散热能力,适合高频(可达数百 kHz)开关应用。综上,该器件是高效、紧凑型中功率开关设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V LFPAKMOSFET N-CHAN 30V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R5-30YL,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R5-30YL,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 109 W |
| Pd-功率耗散 | 109 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5057pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5589-2 |
| 功率-最大值 | 109W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 配置 | Single |