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Datasheet下载- 型号： SI7309DN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI7309DN-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7309DN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7309DN-T1-E3价格参考。VishaySI7309DN-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 60V 8A (Tc) 3.2W (Ta), 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8。您可以下载SI7309DN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7309DN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7309DN-T1-E3 是一款 N 沟道 MOSFET，属于高性能、低导通电阻的功率场效应晶体管，广泛应用于需要高效能开关控制和电源管理的电子设备中。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低导通损耗，提高系统效率。 SI7309DN-T1-E3 常用于便携式电子产品中的电源开关和负载管理，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，适用于电池供电系统的电源路径控制。其低电压驱动特性使其兼容逻辑电平信号，适合由微控制器直接驱动，简化电路设计。 此外，该 MOSFET 也广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动以及热插拔电源管理模块中。在消费类电子、工业控制和通信设备中，常作为高边或低边开关使用，实现高效的能量传输与系统保护。 由于其采用小型化封装（如PowerPAK SO-8），散热性能良好，适合空间受限但对功率密度要求较高的应用场景。同时，器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和稳定性，适合在较宽温度范围内工作。 综上所述，SI7309DN-T1-E3 特别适用于对效率、尺寸和可靠性有较高要求的现代电子系统，是电源管理和功率开关应用中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8MOSFET 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7309DN-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7309DN-T1-E3SI7309DN-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 115 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 115 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 80 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 35 ns, 33 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 115 毫欧 @ 3.9A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7309DN-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns, 30 ns |
| 功率-最大值 | 19.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7309DN-E3 |
