Datasheet下载- 型号： NTMFS4833NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4833NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4833NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4833NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS4833NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS4833NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4833NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别，广泛应用于各种电力电子场景中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：NTMFS4833NT1G 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 2.9mΩ）使其非常适合用于高效能的 DC-DC 转换器和开关电源设计。 - 电池管理系统 (BMS)：可用于电池充放电控制、保护电路以及负载切换。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费类电子产品中的小型直流电机驱动，如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥电路：在需要双向控制的电机应用中，该 MOSFET 可用作 H 桥的一部分。 3. 负载开关 - 便携式设备：在智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，作为高效的负载开关使用，实现快速开启/关闭功能并减少功耗。 - USB 充电端口保护：用于 USB 接口的过流保护和热插拔保护。 4. 通信设备 - 信号调节：在通信基站或路由器等设备中，用于信号路径上的功率调节和优化。 - 数据传输保护：防止浪涌电流对敏感元件造成损坏。 5. 汽车电子 - 车身控制系统：如电动车窗、座椅调节、雨刷器等系统的功率控制。 - LED 照明驱动：用于汽车内外 LED 灯光的亮度调节和保护。 6. 工业自动化 - 传感器接口：在工业自动化设备中，用于传感器信号的放大和驱动。 - 继电器替代：由于其快速开关特性和可靠性，可替代传统机械继电器。 特性优势 - 低导通电阻：降低功率损耗，提高系统效率。 - 高工作频率：支持高频开关应用，适合现代紧凑型设计。 - 优异的热性能：封装形式（SOT227B）有助于散热，确保长期稳定运行。 综上所述，NTMFS4833NT1G 因其高性能参数和可靠性，适用于多种消费电子、工业、通信及汽车领域的电力转换和控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FLMOSFET NFET 30V 191A 2MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 191 A |
| Id-连续漏极电流 | 191 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4833NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4833NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 2.35 W |
| Pd-功率耗散 | 2.35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 34 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5600pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 88nC @ 11.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 其它名称 | NTMFS4833NT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 910mW |
| 功率耗散 | 2.35 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 191 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 156A （Tc） |
| 系列 | NTMFS4833N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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